等离子清洗涉及刻蚀工艺领域,并且完全满足去除刻蚀工艺后硅片表面残留颗粒的清洗。背景技术在刻蚀过程中,颗粒的来源很多:刻蚀用气体如Cl2、HBr、CF4等都具有腐蚀性,刻蚀结束后会在硅片表面产生一定数量的颗粒;
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